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產(chǎn)品中心光電探測器Si硅光電二極管905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑：0.23mm TO46)
905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑：0.23mm TO46)
產(chǎn)品簡介
product
產(chǎn)品分類| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材/家具,電子/電池 |
905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑：0.23mm TO46))
硅雪崩光電二極管，光譜響應(yīng)范圍從可見光到近紅外，峰值響應(yīng)波長905nm。大光敏面，高速響應(yīng)，高增益，低噪聲。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
正照平面型芯片結(jié)構(gòu)
高速響應(yīng)
高增益
低結(jié)電容
低噪聲
產(chǎn)品應(yīng)用：
激光測距
激光雷達(dá)
激光警告
技術(shù)參數(shù)：
光電性能（@Ta=22±3℃）
器件型號 | 光譜響應(yīng)范 圍 (nm) | 峰值響 應(yīng)波長 (nm) | 響應(yīng)度 λ =905nm φ e =1μW M=100 (A/W) | 暗電流 M=100 (nA) | 響應(yīng)時間 λ =905nm R L =50Ω （ns） | 工作電壓 溫度系數(shù) T a =-40℃ ～85℃ （V/℃） | 總電容 M=100 f=1MHz （pF） | 擊穿電壓 I R =10μA （V） | ||
典型 | 最大 | 最小 | 最大 | |||||||
GD5210Y-2-2-TO46 | 400～1100 | 905 | 55 | 0.2 | 1 | 0.6 | 0.9 | 1.0 | 130 | 220 |
GD5210Y-2-5-TO46 | 0.4 | 1 | 1.2 | |||||||
GD5210Y-2-8-TO46 | 0.8 | 2 | 2.0 | |||||||
GD5210Y-2-2-LCC3 | 0.2 | 1 | 1.0 | |||||||
GD5210Y-2-5-LCC3 | 0.4 | 1 | 1.2 | |||||||
結(jié)構(gòu)/最大絕對額定值
器件型號 | 封裝形式 | 光敏面直徑 (mm) | 工作電壓 (V) | 工作溫度 (℃) | 儲存溫度 (℃) | 焊接溫度 (℃) | 正向電流 (mA) | 耗散功率 (mW) |
GD5210Y-2-2-TO46 | TO-46 | 0.23 | 0.9×V BR | -40～85 | -45～100 | 260 | 0.25 | 100 |
GD5210Y-2-5-TO46 | TO-46 | 0.50 | ||||||
GD5210Y-2-8-TO46 | TO-46 | 0.80 | ||||||
GD5210Y-2-2-LCC3 | LCC3 | 0.23 | ||||||
GD5210Y-2-5-LCC3 | LCC3 | 0.50 |
產(chǎn)品型號
名稱 | 型號 | 描述 | 價格 | 貨期 |
硅雪崩光電二極管 | GD5210Y-2-2-TO46 | 光譜響應(yīng)范圍：400-1100nm 峰值響應(yīng)波長：905nm 光敏面直徑：0.23mm 封裝：TO46 | ||
硅雪崩光電二極管 | GD5210Y-2-5-TO46 | 光譜響應(yīng)范圍：400-1100nm 峰值響應(yīng)波長：905nm 光敏面直徑：0.50mm 封裝：TO46 | ||
硅雪崩光電二極管 | GD5210Y-2-8-TO46 | 光譜響應(yīng)范圍：400-1100nm 峰值響應(yīng)波長：905nm 光敏面直徑：0.80mm 封裝：TO46 | ||
硅雪崩光電二極管 | GD5210Y-2-2-LCC3 | 光譜響應(yīng)范圍：400-1100nm 峰值響應(yīng)波長：905nm 光敏面直徑：0.23mm 封裝：LCC3 | ||
硅雪崩光電二極管 | GD5210Y-2-5-LCC3 | 光譜響應(yīng)范圍：400-1100nm 峰值響應(yīng)波長：905nm 光敏面直徑：0.50mm 封裝：LCC3 |
典型特性曲線
封裝外形、尺寸及引腳定義
GD5210Y-2-2/5/8-TO46（三腳和兩腳封裝）
GD5210Y-2-2/5-LCC3
等效電路及應(yīng)用電路
注：C 1 －濾波電容，濾除偏置工作電壓 V R 的噪聲。
C 2 －旁路電容，為交流信號提供對地回路。
R 1 －限流電阻，防止偏置工作電壓 V R 過高時，損壞探測器。
R i －取樣電阻，將光電流轉(zhuǎn)化為電壓信號。
定購信息：
TO 封裝形式:
905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑：0.23mm TO46)
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