1064nm 四象限Si光電探測器(N型硅象限光敏面直徑 10mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W)
器件是N型硅象限探測器，當(dāng)光輻射到器件各個象限的輻射通量相等時，則各個象限輸出的光電流相等。而當(dāng)目標(biāo)發(fā)生偏移時，由于象限間輻射通量的變化，引起各個象限的輸出光電流的變化，由此可測出物體的方位，從而起到跟蹤、制導(dǎo)的作用。

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更新時間：2024-12-06

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應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

1064nm 四象限Si光電探測器(N型硅象限光敏面直徑 10mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W)

器件是N型硅象限探測器，當(dāng)光輻射到器件各個象限的輻射通量相等時，則各個象限輸出的光電流相等。而當(dāng)目標(biāo)發(fā)生偏移時，由于象限間輻射通量的變化，引起各個象限的輸出光電流的變化，由此可測出物體的方位，從而起到跟蹤、制導(dǎo)的作用。

感光規(guī)格

16mm ?

響應(yīng)度

@1064nm 0.3A/W

技術(shù)參數(shù)

特性參數(shù)	符號	測試條件（除另有規(guī)定外，TA=22℃±3℃）		參數(shù)值		單位
特性參數(shù)	符號	測試條件（除另有規(guī)定外，TA=22℃±3℃）		最小值	最大值	單位
響應(yīng)度(交流)(象限)	Spi	λ=1.064μm VR=135 V	脈寬20 ns、Pin=2 mW	0.25	—	A/W
響應(yīng)度(直流)(象限)	Rei		直流、Pin=1μw	0.30	—	A/W
響應(yīng)度變化量(直流) (象限)a 響應(yīng)度變化量(交流) (象限)a	ΔRei		TA=-45 ℃±2 ℃	—	50	%
暗電流(象限)	IDi	VR=135V Pin=0μw	TA=22℃±3℃	—	1	μA
暗電流(象限)	IDi		TA=70℃±3℃	—	10
暗電流(環(huán))	ID		TA=22℃±3℃	—	10
暗電流(環(huán))	ID		TA=70℃±3℃	—	100
結(jié)電容（象限）	Cji	VR=135V，f=1MHz		—	15	pF
光敏面直徑	φ			10	16	mm
等效噪聲功率	NEPi	λ=1.064 μm，VR=135 V ,脈寬20 ns		—	5×10-12	W/HZ1/2
擊穿電壓（象限、環(huán)）	VBR	IR=10μA		200	—	V
象元間靈敏度非均勻性	Rf	λ=1.064 μm，VR=135 V ，脈寬20 ns；Pin=2mW		—	5	%
象元內(nèi)靈敏度非均勻性	Rfn	λ=1.064 μm，VR=135 V ，脈寬20 ns；Pin=2mW		—	5	%
象元間竄擾因子	SLi	λ=1.064 μm，VR=135 V ，脈寬20 ns；Pin=2mW		—	5	%

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 標(biāo)低暗電流

● 高均勻性、高對稱性

● 高可靠性

● 盲區(qū)小

通用參數(shù)

外形結(jié)構(gòu)

TO型氣密性封裝。外形結(jié)構(gòu)見圖1，外形尺寸見表1。

2345截圖20191014101445.png

2345截圖20191014101905.png

表1、外形尺寸（單位為毫米）