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硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?3mm APD 是具有通過(guò)施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的時(shí)間響應(yīng)、低暗電流和高靈敏度。光譜響應(yīng)范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內(nèi)。 C12702-12為短波型，有效面積：Φ3.0 mm APD 模塊專(zhuān)為方便使用 Si APD 而設(shè)計(jì)。

190～ 1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器 我們的硅探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見(jiàn)光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ，定量光電轉(zhuǎn)換；動(dòng)態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開(kāi)發(fā)場(chǎng)景 ，應(yīng)用廣泛；索雷博THORLABS同款 ，無(wú)縫兼容；性能優(yōu)秀 ，高性?xún)r(jià)比 ，quan方位技術(shù)支持； 提供非標(biāo)定制服務(wù)。

190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測(cè)器 筱曉光子的硅基放大光電探測(cè)器感光范圍覆蓋190nm~1100nm，可實(shí)現(xiàn)定量光電轉(zhuǎn)換，動(dòng)態(tài)范圍寬，適用于各種光電開(kāi)發(fā)場(chǎng)景，性能優(yōu)秀，性?xún)r(jià)比高，提供quan方位技術(shù)支持，常應(yīng)用于紫外與可見(jiàn)光測(cè)量。

400-1100nm 硅Si光電探測(cè)器 帶放大 固定增益(DC-140MHz) 硅(Si) 硅基光電探測(cè)器是一種額定帶寬，固定增益的光電探測(cè)器，用于檢測(cè)光信號(hào)。光信號(hào)從光電sensor感應(yīng)面輸入，輸出通過(guò)BNC以電壓形式輸出。本產(chǎn)品能測(cè)量800nm到1700nm波長(zhǎng)范圍的光信號(hào)。具體性能參數(shù)數(shù)據(jù)參考附錄表格。LD-PD光電探測(cè)器外殼帶有英制1/4“-20螺紋的安裝孔，可以方便的安裝固定。 外殼部分

400-1100nm Si雪崩平衡探測(cè)器 2GHz Si雪崩平衡探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、 APD 溫度補(bǔ)償；隔離電源供電確保輸出信號(hào)不受外部供電電源的影響；APD溫度補(bǔ)償提高探測(cè)模塊的穩(wěn)定性。